特許

J-GLOBAL ID：200903027554605100

地形状にパターン化された膜を使用した膜介在電解研磨

発明者： マザー,ステイーブン ,  ジヤクソン,チヤールズ・イー ,  フオギン,ゲイリー・ダブリユー
出願人/特許権者： イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
代理人 (2件)： 特許業務法人小田島特許事務所 ,  小田島 平吉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-509190
公開番号（公開出願番号）：特表2008-539334
出願日： 2006年04月28日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：

本発明は、地形状にパターン化された膜を使用して金属工作物の研磨および/または平坦化を行うための膜介在電解研磨(MMEP)方法を提供する。この方法は、純金属および合金の両方に使用することができ、従来の電解研磨方法および平滑な膜を使用する周知のMMEP法に対する利点を得ることができる。本発明は、膜介在電解研磨方法において有用なカソード半電池および装置も提供する。本発明は、地形状パターン、孔、および/または溝を金属工作物の表面内に電気彫刻および電気機械加工する方法も提供する。

請求項（抜粋）：

a.1.完全または部分的に囲まれた容積、空隙または容器、 2.囲まれた容積、空隙または容器を部分的にまたは実質的に満たす電解質溶液またはゲル、 3.電解質溶液またはゲルに接触する電極、 4.電極を直流電源に電気的に接続するための手段、及び 5.膜の内面が電解質溶液またはゲルに接触し、且つ外面が金属工作物および低伝導率溶媒または溶液に接触するために近接可能であるような方法で、囲まれた容積、空隙または容器の1つの表面を封止する電荷選択的イオン伝導性膜であって、膜が膜の外面上に位置する幅WLのランドと深さDCのチャネルとにより地形状にパターン化され、チャネルが外形領域の端部まで延在している電荷選択的イオン伝導性膜 を含んでなるカソード半電池を準備し、 b.金属工作物の表面を低伝導率溶媒または溶液で実質的に覆い、 c.正端子が金属工作物に接続され、負端子が半電池中の電極に接続される直流電力源を準備し、そして d.金属工作物を膜の外面の少なくとも一部に接触させる ことを含んでなる膜介在電解研磨方法。

IPC (2件)：

C25F 7/00 ,  C25F 3/14

FI (2件)：

C25F7/00 S ,  C25F3/14

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 米国特許出願第60/546,192号明細書
  
• 米国特許出願第60/546,198号明細書
  
• 米国特許出願第60/611,699号明細書
  
• 米国特許出願第60/570,967号明細書
  
• 米国特許第6722950号明細書