特許

J-GLOBAL ID：200903027560757000

半導体装置

発明者： 藤岡 徹 ,  清水 敏彦 ,  吉田 功 ,  伊藤 護
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-307358
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115732
出願日： 2001年10月03日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：

【要約】【課題】 性能の劣化が少ないインピーダンス変換機能をもつ整合回路によって、大きなゲート幅を有する高出力FETの高周波、高出力特性を十分に引き出すことのできる半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体チップと電気的に接続された入力用或いは出力用のリードが、前記半導体チップを収容する絶縁材の枠体に固定されている半導体装置において、前記入力用或いは出力用リードの少なくとも何れかが、前記枠体に固定される部位に、前記枠体により支持される端面開放の線路と接続され、前記リードがオープンスタブを備える構成となる整合回路を有する。この構成によれば、オープンスタブにより、インピーダンス変換が行われているので、リードは、インピーダンス変換の機能が強化されていることになり、内部整合回路に要求されるインピーダンス変換比を小さくすることが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体チップと電気的に接続された入力用或いは出力用のリードが、前記半導体チップを収容する絶縁材の枠体に固定されている半導体装置において、前記入力用或いは出力用リードの少なくとも何れかが、前記枠体に固定される部位に、前記枠体により支持される端面開放の線路と接続され、前記リードがオープンスタブを備える構成となる整合回路を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H03F 3/60 ,  H01L 23/02 ,  H01P 5/08

FI (3件)：

H03F 3/60 ,  H01L 23/02 H ,  H01P 5/08 L

Fターム (10件)：

5J067AA04 ,  5J067AA41 ,  5J067CA75 ,  5J067FA16 ,  5J067HA09 ,  5J067KA29 ,  5J067KA68 ,  5J067KS11 ,  5J067LS11 ,  5J067QS03