熱電変換素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：押田良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-191536
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022531
出願日： 1996年07月01日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 P型半導体とN型半導体とをPN接合した構成からなる熱電変換素子において、高い熱起電力と電流値を発生させることが可能なPN接合の接合部材と接合構造を有した熱電変換素子の提供。【解決手段】 PN接合部を白金族の金属膜を介して形成し、挟持部材10の凹部にP型半導体1とN型半導体3の突起部端面2,4を挿入して両半導体1,3と挟持部材10間に銀ろう材等を介在させてろう付け固着することにより、PN接合部の酸化が抑えられると同時に半導体と白金族元素間での相互拡散が抑制され、高温で高い熱起電力が長時間安定して得られる。

請求項（抜粋）：

P型半導体とN型半導体とをその一端側でPN接合を形成する熱電変換素子において、前記一対の半導体間に白金族(Ru,Rh,Pd,Ir,Os,Pt)のいずれか1種の金属膜を介在させて固定した熱電変換素子。

IPC (3件)：

H01L 35/14 , H01L 35/08 , H01L 35/32

FI (3件)：

H01L 35/14 , H01L 35/08 , H01L 35/32 A

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