特許
J-GLOBAL ID：200903027565458745
位相シフトマスク及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
笹島 富二雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-237249
公開番号（公開出願番号）：特開平10-090875
出願日： 1997年09月02日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】遮光層と位相シフト層との接触力が増加して機械的に分離することを防止できるようにする位相シフトマスク及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明による位相シフトマスクは、透明基板と、前記透明基板上に所定深さに形成される溝と、前記溝内部に形成されるに応じて入射光線を遮断する遮光層と、前記遮光層と所定部分が接触し、残りの部分が前記透明基板と接触できるように形成されるにともなって、入射光をシフトさせる位相シフト層とを含み、本発明による位相シフトマスクの製造方法は、透明基板上の所定部分に犠牲層を形成し、前記犠牲層の側面に側壁を形成する工程と、前記犠牲層及び前記側壁をマスクとして透明基板を異方性エッチングすることによって溝を形成する工程と、前記側壁を除去し、前記犠牲層及び前記透明基板の露出している部分上にある溝を埋め込むため、酸化時に透明になる不透明な物質を蒸着し、酸化して位相シフト層を形成すると共に溝の内部に遮光層を限定する工程と、前記犠牲層を除去する工程とを備える。
請求項（抜粋）：
半導体装置の露光描画装置に用いられる位相シフトマスクであって、透明基板と、該透明基板上に所定深さに形成された溝と、該溝内部に形成されて入射光線を遮断する遮光層と、該遮光層と接触するように形成された入射光をシフトする位相シフト層と、を含んで構成されたことを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
