特許
J-GLOBAL ID：200903027574449457
熱プラズマ発生方法、プラズマ溶射方法および製膜装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-200614
公開番号（公開出願番号）：特開平5-044008
出願日： 1991年08月09日
公開日（公表日）： 1993年02月23日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、プラズマ溶射あるいは熱プラズマCVD等で製膜する場合の熱プラズマ発生法と装置に関するものであり、特に大面積基板へ均一に高スループットで製膜できる製膜装置に関するものである。【構成】 奥行き方向に長い陰極15を陽極19で取り囲み、陰極先端部17と噴出口21を形成する陽極19との間で発生するアーク25に略垂直に作用する磁界26を付与するエンドレス形状の磁石27を設け、アーク25を両電極面上で周回高速移動させる。
請求項（抜粋）：
奥行き方向に長い陰極先端部と、プラズマ作動ガス通路空間を隔てて陰極を取り囲むとともに、陰極先端部よりも下流に設けた断面が偏平スリット形状なプラズマ噴出口を形成する陽極部との間でアークを発生させ、磁石によって前記アーク柱に対して略垂直の磁界を作用せしめ、前記発生アークを前記陰極先端部と陽極部上で周回させながら、偏平スリット状のアークプラズマをプラズマ噴出口より発生させる熱プラズマ発生方法
IPC (2件)：
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