特許

J-GLOBAL ID：200903027588503381

狭禁止帯幅特性を有する炭素ドーピング・シリコン半導体デバイスとその方法

発明者： ジョン・ジェイ・キャンデラリア
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 本城 雅則 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-259712
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161731
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】 シリコンと炭素がドーピングされたシリコンからなる半導体デバイスが提供される。【構成】 シリコンに比べて禁止帯幅特性の狭いIV-IV半導体デバイス21、41と、その形成方法である。0.5%ないし1.1%の置換濃度で炭素をシリコン内に組み込むことにより、シリコンに比べ禁止帯幅が狭く結晶性が良い半導体デバイス21,41が実現される。半導体デバイス21,41は、狭禁止帯幅領域を用いる半導体ヘテロ接合デバイスに適している。

請求項（抜粋）：

狭禁止帯幅特性を有する炭素ドーピング・シリコン半導体デバイス(21,41)であって:実質的にシリコンからなる第1結晶性半導体層(22,43);および実質的にシリコンと狭禁止帯幅特性を与えるためのドーパントとからなる第2結晶性半導体層(23,44)であって、禁止帯幅を狭くする前記ドーパントが必ず炭素で構成され、前記第1結晶性半導体層(22,43)と前記第2半導体層(22,43)とが第1ヘテロ接合を形成し、炭素は前記第2結晶性半導体層(23,44)において1.1%未満の置換濃度で存在する第2結晶性半導体層(23,44);によって構成されることを特徴とするデバイス。

IPC (5件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/861

FI (5件)：

H01L 29/72 ,  H01L 21/265 A ,  H01L 21/265 W ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/91 H