特許

J-GLOBAL ID：200903027590621685

化合物半導体膜の製造方法

発明者： 戸田 誠
出願人/特許権者： セントラル硝子株式会社
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-084197
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274176
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 簡便な手法で且つ低コストの化合物半導体太陽電池の光吸収層を形成する製造方法を提供する。【解決手段】 導電性基板上にIb族及びIIIb族元素を含む有機金属塩溶液例えば、ナフテン酸銅とオクチル酸インジウムを含むトルエン溶液をディッピング法やロールコート法で被着し乾燥後、不活性ガスのみ、還元性ガスのみ、または不活性ガスと還元性ガスとの混合ガスからなる、VIb族元素、例えば、セレンの存在する非酸化性雰囲気で熱処理して、Ib-IIIb-VIb2系のカルコパイライト構造を有する化合物半導体膜、例えば、CuInSe2化合物半導体膜を形成することを特徴とする化合物半導体膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

Ib族元素の有機金属塩とIIIb族元素の有機金属塩を有機溶剤に溶解させ、基板に塗布した後、乾燥させ、更に、VIb族元素および/またはVIb族元素の化合物が存在する非酸化性雰囲気中で加熱処理することを特徴とする化合物半導体膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/368 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/368 Z ,  H01L 31/04 X ,  H01L 31/04 E

Fターム (10件)：

5F051AA10 ,  5F051BA12 ,  5F051BA14 ,  5F051CB13 ,  5F053AA06 ,  5F053BB58 ,  5F053DD20 ,  5F053FF10 ,  5F053LL05 ,  5F053RR12