特許
J-GLOBAL ID：200903027591118162
成膜処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小原 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-180524
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031754
出願日： 1994年07月08日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 被処理体の温度制御が容易で、被処理体の裏面周縁部での余分な成膜を防止し、被処理体の表面周縁部での膜厚を他の部分の膜厚と変りなく被処理体全面の被膜厚を均一に形成できる成膜処理方法を提供する。【構成】 本発明の成膜処理方法は、処理室10内で支持体11により支持された半導体ウエハWの裏面側からバックサイドガスを供給しながら、半導体ウエハWの表面側へプロセスガスを供給し、半導体ウエハWの表面に所定の被膜を形成する際に、WF6ガス及びH2ガスを含有するプロセスガスを供給すると共に、H2ガスの濃度がプロセスガス中のH2ガスの濃度と略同一濃度に調整されたバックサイドガスを、処理室10内を半導体ウエハWのプロセスガス側空間とバックサイドガス側空間に区画する隔壁12Aと半導体ウエハWとの間に形成された隙間を経由してプロセスガス側空間へ供給することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
処理室内で支持体により支持された被処理体の裏面側へバックサイドガスを供給しながら、上記被処理体の表面側へプロセスガスを供給し、プロセスガスの反応生成物を上記被処理体の表面に堆積させて所定の被膜を形成する方法において、第1反応性ガス及び第2反応性ガスを含有するプロセスガスを供給すると共に、上記第2反応性ガスの濃度が上記プロセスガス中の第2反応性ガスの濃度と略同一濃度に調整された上記バックサイドガスを、上記処理室内を上記被処理体の表面側空間と裏面側空間に区画する隔壁と上記被処理体との間に形成された隙間を経由して上記表面側空間へ供給することを特徴とする成膜処理方法。
IPC (2件)：
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