特許

J-GLOBAL ID：200903027595604584

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 後藤 政仁
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-292239
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100633
出願日： 2001年09月25日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 ゲッタリングのためのフォトリソグラフィ工程を必要とせず、使用不可能なCGシリコン膜の領域を作らない、実用的かつ量産可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。【解決手段】 Niを用いて非晶質シリコン膜12を結晶化し、CGシリコン膜14を形成する。次に、CGシリコン膜14上の全面に、シリコン酸化膜15を形成し、さらに、シリコン酸化膜15上の全面に、燐を高濃度に含む第2のシリコン膜16を形成する。そして加熱処理を施し、CGシリコン膜14から第2のシリコン膜16にNiをゲッタリングさせる。その後、第2のシリコン膜16を除去する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上の非晶質シリコン膜を、シリコンの結晶化を助長する触媒金属元素を用いて結晶化させ、シリコン結晶性膜である第1のシリコン膜を形成する工程と、前記第1のシリコン膜上にシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜上に5族元素を含有する第2のシリコン膜を形成する工程と、加熱処理を施し、前記第1のシリコン膜から前記第2のシリコン膜に前記触媒金属元素をゲッタリングさせる工程と、前記第2のシリコン膜を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/322 P ,  H01L 21/322 R ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 Z ,  H01L 29/78 618 F

Fターム (42件)：

5F052AA11 ,  5F052AA12 ,  5F052AA17 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE09 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL06 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ28