特許
J-GLOBAL ID：200903027596926828
磁気トンネリング接合素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-077981
公開番号（公開出願番号）：特開平9-269362
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：
【要約】【課題】 強磁性トンネル接合の接合面積を確実に規制することができ、欠陥によるリーク等が無く安定的に磁気トンネリング効果を発現させることができる磁気トンネリング接合素子を提供する【解決手段】 第1の磁性金属層と第2の磁性金属層とが絶縁層を介して強磁性トンネル接合されてなり、これら磁性金属層の磁化の相対角度によってトンネル電流の導電率が変化する磁気トンネリング接合素子において、強磁性トンネル接合の接合面積を確実に規制するために、絶縁層を、強磁性トンネル接合のための第1の絶縁層と、この第1の絶縁層上に形成され強磁性トンネル接合の接合面積を規制する第2の絶縁層とから構成する。
請求項（抜粋）：
第1の磁性金属層と第2の磁性金属層とが絶縁層を介して強磁性トンネル接合されてなり、これら磁性金属層の磁化の相対角度によってトンネル電流の導電率が変化する磁気トンネリング接合素子において、上記絶縁層が、強磁性トンネル接合のための第1の絶縁層と、この第1の絶縁層上に形成され強磁性トンネル接合の接合面積を規制する第2の絶縁層からなることを特徴とする磁気トンネリング接合素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01R 33/06 Z
, H01L 43/00
