特許

J-GLOBAL ID：200903027602381537

光半導体装置

発明者： 三田 恵司 ,  田中 英之
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-136914
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335532
出願日： 1992年05月28日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 ホトダイオード内蔵ICにおいて、光の選択入射を可能にし且つガス抜きを行って遮光膜のふくれ不良を防止する。【構成】 ホトダイオード(21)とNPNトランジスタ(22)を形成し、1stAlで電極配線(38)を形成する。ポリイミド系樹脂で層間絶縁膜(39)を形成し、その上に2ndAlを形成する。再びポリイミド系樹脂で層間絶縁膜(41)を形成し、その上に3rdAlで遮光膜(42)を形成する。貫通孔(43)の下に2ndAlで第2の遮光膜(44)を形成し、その表面を粗面とする。

請求項（抜粋）：

同一基板上に光信号入力用のホトダイオードと信号処理回路用のトランジスタとを形成し、前記ホトダイオードの領域を除く領域を遮光膜で覆い、前記遮光膜より下層の配線層で前記トランジスタを結線すると共に、前記遮光膜と前記配線層との間をポリイミド系の絶縁膜で層間絶縁した光半導体装置において、前記遮光膜に貫通孔を多数設け、該貫通孔の下には下層の配線層で第2の遮光膜を形成し、前記遮光膜の表面を粗面化したことを特徴とする光半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/14 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 27/14 D ,  H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 G