特許

J-GLOBAL ID：200903027602982662

積層型半導体磁器及びその製造方法

発明者： 佐野 晴信 ,  浜地 幸生 ,  坂部 行雄
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 下市 努
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-224849
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047508
出願日： 1991年08月08日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 材料コスト,及び抵抗値を低くでき、かつ製造時の割れやクラックの発生を防止できるとともに、抵抗値のばらつきを小さくできる積層型半導体磁器及びその製造方法を提供する。【構成】 複数の内部電極3を正の抵抗温度特性を有する半導体磁器層2に介在させて積層してなる焼結体4と、上記内部電極3の一端面3aに電気的に接続されるように形成された外部電極5とを備える積層型半導体磁器1を構成する。そして、上記内部電極3にニッケル,又はニッケル合金を採用する。また、上記積層型半導体磁器1を製造する場合、上記正の抵抗温度特性を有する半導体磁器用セラミックグリーンシート2とニッケル,又はニッケル合金からなる内部電極用ペースト3とを交互に積層した後、該積層体を還元性雰囲気中で一体焼成して焼結体4を形成し、この後該焼結体4を再酸化処理する。

請求項（抜粋）：

複数の内部電極を正の抵抗温度特性を有する半導体磁器層に介在させて積層してなる焼結体と、上記内部電極の一端面に電気的に接続されるように形成された外部電極とを備える積層型半導体磁器において、上記内部電極がニッケル,又はニッケル合金からなることを特徴とする積層型半導体磁器。

IPC (2件)：

H01C 7/02 ,  H01C 17/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-099519
  
• 特開昭62-045003