特許
J-GLOBAL ID：200903027605526528
半導体超微粒子の製造方法および非線形光学材料
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-183702
公開番号（公開出願番号）：特開平5-184913
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1993年07月27日
要約：
【要約】【構成】 半導体超微粒子が生成する溶液中に不飽和結合を有する単量体を共存させ、特定波長の光を照射しながら生成反応を行い、生長してきた粒子径に対応する光吸収波長が照射光波長に一致したところで、超微粒子表面で光重合反応が起こり、ポリマーで被覆安定化せしめる。【効果】 粒子径が制御され、かつ安定化された半導体超微粒子が得られ、高い3次の非線形性を有する分散体が得られる。
請求項（抜粋）：
溶液中で半導体粒子の生成反応を行わせるのに際し、該溶液中に不飽和結合を有する単量体を共存させ、光照射して生成することを特徴とする粒子の粒子径が制御されかつ安定化された半導体超微粒子の製造方法。
IPC (3件)：
B01J 19/00
, C01G 11/02
, G02F 1/35 503
