特許

J-GLOBAL ID：200903027607807095

半導体レーザ装置

発明者： 小久保 吉裕 ,  南原 成二 ,  山下 光二 ,  後藤 勝彦
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-230393
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086678
出願日： 1993年09月16日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 リーク電流を低減できる半導体レーザ装置を得る。【構成】 n-InP基板1上にn-InP下クラッド層2,InGaAsP活性層3及びp-InP上クラッド層2を順次積層してなる利得導波型半導体レーザにおいて、InGaAsP活性層3の発光領域13となる部分を除く他の部分とp-InP上クラッド層2との間に多重量子障壁層4を設けた。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板上に、第1導電型下クラッド層,活性層,及び第2導電型上クラッド層を順次積層してなる利得導波型半導体レーザ構造と、上記活性層の発光領域とすべき部分を除く他の部分と上記上クラッド層との間,及び上記活性層の発光領域とすべき部分を除く他の部分と上記下クラッド層との間の何れか一方、または両方に挿設された多重量子障壁層とを備えてなることを特徴とする半導体レーザ装置。