特許
J-GLOBAL ID：200903027609005751
シリコンウェハの熱処理方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-198942
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021063
出願日： 1992年07月03日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 初期酸素濃度の低いシリコンウェーハ又は高温で外方拡散処理を行ったシリコンウェーハであっても、その内部にゲッタリング効果を発揮するのに十分な高密度かつ多種類の格子欠陥を発生させる熱処理方法を提供する。【構成】 シリコンウェーハを、400°C以上500°C以下の温度範囲で少なくとも5時間加熱した後、600°C以上700°C以下の温度範囲で少なくとも20時間加熱する。
請求項（抜粋）：
シリコンウェハに熱処理を施すことにより該シリコンウェハ内部に格子欠陥を発生させる熱処理方法において、単結晶のシリコンウェハを、400°C以上500°C以下の温度範囲内で少なくとも5時間加熱する第1工程と、前記第1工程終了後のシリコンウェハを、600°C以上700°C以下の温度範囲内で少なくとも20時間加熱する第2工程とを含むことを特徴とする単結晶のシリコンウェハの熱処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/322
, H01L 21/324
