特許
J-GLOBAL ID：200903027610805494
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-313184
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129250
出願日： 1991年11月01日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】チタン系反射防止膜を表面に有するアルミニウム系金属配線に対する電気的な接続処理を行う際、前述したアルミニウムクラウンの発生あるいは層間絶縁膜のエッチング不良を防止でき、上層の配線層との電気的な接続状態を良好なものとすることができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】(イ)チタン系反射防止膜を表面に有するアルミニウム系金属配線上に層間絶縁膜を形成する工程と、(ロ)ラジカルモードのエッチングによって前記層間絶縁膜に接続孔を開孔して、前記チタン系反射防止膜を露出させる工程と、(ハ)イオンモードのエッチングによって前記接続孔の底部に露出したチタン系反射防止膜を除去し、アルミニウム系金属配線を露出させる工程、から成る。
請求項（抜粋）：
(イ)チタン系反射防止膜を表面に有するアルミニウム系金属配線上に層間絶縁膜を形成する工程と、(ロ)ラジカルモードのエッチングによって前記層間絶縁膜に接続孔を開孔して、前記チタン系反射防止膜を露出させる工程と、(ハ)イオンモードのエッチングによって前記接続孔の底部に露出したチタン系反射防止膜を除去し、アルミニウム系金属配線を露出させる工程、から成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/3205
