特許
J-GLOBAL ID：200903027615728501
外観検査方法および装置ならびに半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-135195
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332071
出願日： 1999年05月17日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】 外観検査における虚報データを排除して、レビュー等の欠陥対策作業の迅速化を実現する。【解決手段】 外観検査(ステップ101)で得られた複数の欠陥情報を含む欠陥データに対して、密集欠陥群をグループとして識別するクラスタリング(ステップ102)を実行した後、個々のグループ内の欠陥群の座標に基づく相関係数γの算出(ステップ104)、座標変換(ステップ105)後の欠陥群の座標に基づく相関係数γ’の算出(ステップ106)を行い、このγおよびγ’に基づいて当該グループが虚報か否かを判別し(ステップ107)、虚報の場合には識別情報をグループ内の欠陥データに付加する(ステップ108)処理を、全グループに実施し(ステップ109)、虚報と判定された欠陥データを除外(ステップ110)して、欠陥原因解析等のレビューを実行する(ステップ111)。
請求項（抜粋）：
対象物から検出された複数の欠陥の分布状態に基づいて、前記欠陥が真の欠陥か、それ以外の虚報かを判別することを特徴とする外観検査方法。
Fターム (11件)：
4M106AA01
, 4M106BA04
, 4M106BA10
, 4M106CA38
, 4M106DA15
, 4M106DB18
, 4M106DB21
, 4M106DJ17
, 4M106DJ18
, 4M106DJ20
, 4M106DJ27
