特許

J-GLOBAL ID：200903027620631923

集積回路装置とその製造方法

発明者： 平尾 省二
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-010771
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221260
出願日： 1994年02月02日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 集積回路装置とその製造方法に関し、製造精度が低いバンプを用いないで回路チップ間、あるいは回路チップとTAB間、または回路チップとパッケージ間の接続技術を提供する。【構成】 集積回路パターン33,38が形成された基板32,37を有する2以上の回路チップ31,36を積層し、各回路チップ31,36に形成された回路パターン33,38の間を電磁誘導コイル34,39によって電磁結合する。回路チップと接続する相手をTAB配線薄膜の配線、また、パッケージの配線にすることができる。これらの場合、電磁誘導コイル34,39の中にNi,Co,フェライト等の強磁性体膜35,40を埋め込んで電磁誘導コイル34,39の間の結合係数を高くすることができる。

請求項（抜粋）：

集積回路を形成した2以上の回路チップが積層され、各回路チップに形成された集積回路の間が電磁誘導コイルによって電磁結合されていることを特徴とする集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 23/52 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18

FI (2件)：

H01L 23/52 Z ,  H01L 25/04 Z