メモリ書換え制御方法と制御装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤幸男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-033154
公開番号（公開出願番号）：特開平7-219860
出願日： 1994年02月04日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【構成】ランダムアクセスメモリから不揮発性メモリに対しプログラムやデータの転送を行う途中で、電源断による障害等が発生すると、転送中のデータに障害が発生する。フラッシュメモリは電源が切れても、その障害があるデータをそのまま保持する。従って、フラッシュメモリリセット処理後最初にアクセスされるアドレスに修復動作用のプログラムを格納し、障害部分の修復動作を実行させる。修復動作用のプログラムは、外部装置からランダムアクセスメモリへ必要なデータを受け入れ、これを不揮発性メモリの一定の領域に改めて書き込む。【効果】誤って、障害のある不揮発性メモリ中のデータを含むプログラムを動作させて暴走するのを防止できる。

請求項（抜粋）：

一時記憶用のランダムアクセスメモリに格納したデータをプログラム制御用の不揮発性メモリに書き込む転送動作中に、障害が発生して前記転送動作が中断したとき、リセット処理後最初にアクセスされる前記不揮発性メモリの所定の領域に対し、当該不揮発性メモリに書き込まれたデータの検証を行い、データに障害のある領域が存在する場合、前記ランダムアクセスメモリに外部装置から該当する転送用のデータを受入れて、そのデータを前記障害のある領域に書込む修復動作を行なうプログラムを格納しておくことを特徴とするメモリ書換え制御方法。

IPC (3件)：

G06F 12/16 340 , G06F 12/16 310 , G06F 9/445

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平4-319737
特開平3-269633
特開平2-297237

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