特許
J-GLOBAL ID:200903027625018685

表示装置用電極基板

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-119066
公開番号(公開出願番号):特開平9-304787
出願日: 1996年05月14日
公開日(公表日): 1997年11月28日
要約:
【要約】【課題】スパッタリングの成膜時のガス雰囲気の影響を受け難く安定した成膜を可能とするとともに、薄膜で導電性と可視光線透過率又は反射率が高く、しかも経時劣化がなく保存安定性に優れた透過型又は反射型の表示装置用電極基板を提供することにある。【解決手段】基板10上に銀系導電薄膜層12を備え該銀系導電薄膜層12の表裏面を酸化物系透明明導電薄膜層11,13にて挟持した構成の導電膜14を備えた表示装置用電極基板15において、上記酸化物系透明導電薄膜層の少なくとも一方が、酸化セリウムと酸化インジウムを材料とする透明な混合酸化物による薄膜層であり、且つ前記銀系導電薄膜層が0.1〜2.5at%(atomic weight %)の金と0.3〜3.0at%の銅を含有する銀合金による薄膜層である。
請求項(抜粋):
基板上に、銀系導電薄膜層を備え該銀系導電薄膜層の表裏面を酸化物系透明導電薄膜層にて挟持した構成の導電膜を備えた表示装置用電極基板において、上記酸化物系透明導電薄膜層の少なくとも一方が、酸化セリウムと酸化インジウムを材料とする透明な混合酸化物による薄膜層であり、且つ前記銀系導電薄膜層が、0.1〜2.5at%の金と、0.3〜3.0at%の銅を含有する銀合金による薄膜層であることを特徴とする表示装置用電極基板。
IPC (3件):
G02F 1/1343 ,  C23C 14/08 ,  G09F 9/30 335
FI (3件):
G02F 1/1343 ,  C23C 14/08 D ,  G09F 9/30 335

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