ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-314354
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142507
出願日： 1993年11月19日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】均一性、再現性に優れ、微細化に適した、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法を提供すること。【構成】表面再結合を抑制可能な耐熱性有機薄膜を、薄い膜厚でもって、少なくとも半導体の露出したベース面を含む部分を覆い、この耐熱性有機薄膜の上にフォトレジストを有機薄膜よりも厚く被着し、ついでフォトレジストをマスクとして異方性ドライエッチングでスルーホールを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に、コレクタ層、ベース層、エミッタ層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタウェハを用いて形成されたメサ型のヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、少なくとも半導体の露出したベース面を含む部分を耐熱性有機薄膜で覆い、前記耐熱性有機薄膜をエッチバックして薄くし、ついでこの膜の上にフォトレジスト膜を被着する、この際フォトレジスト膜の厚さを前記耐熱性有機薄膜の厚さより厚くする、しかる後に素子電極と配線とのコンタクトのためのスルーホールを、フォトレジストをマスクとした異方性ドライエッチングで形成することを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/205

FI (2件)：

H01L 29/72 , H01L 29/205

引用特許：

審査官引用 (5件)

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-106763 出願人：株式会社東芝
特開平1-248559
特開平4-010420

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