特許

J-GLOBAL ID：200903027627771062

積み上げ拡散層型MIS半導体装置の製造方法

発明者： 大岸 毅
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-248574
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088361
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】 MISトランジスタのゲート長のばらつきによるしきい値電圧Vthの低下を防止し、積み上げ拡散層型MIS半導体装置の製造歩留まりを向上させる。【構成】 積み上げ拡散層型MIS半導体装置の製造におけるVth調節用のイオン注入として、まず、半導体基板1の表面に対してほぼ垂直な方向からVthを高くする不純物9を用いた第1のイオン注入を行った後、半導体基板1の表面の法線に対して斜めの方向からVthを低くする不純物10を用いた第2のイオン注入を行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に積み上げ拡散層およびこの積み上げ拡散層を覆うオフセット層を順次形成する工程と、上記積み上げ拡散層および上記オフセット層のうちの少なくともゲート電極を形成すべき部分を除去して凹部を形成する工程と、上記凹部の側面にサイドウォールスペーサを形成する工程と、上記積み上げ拡散層、上記オフセット層および上記サイドウォールスペーサをマスクとして上記半導体基板中にMISトランジスタのしきい値電圧調節用のイオン注入を行う工程と、上記凹部における上記サイドウォールスペーサにより覆われた部分を除く上記半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、上記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、上記積み上げ拡散層中の不純物を上記半導体基板中に拡散させてソース領域およびドレイン領域を形成する工程とを有する積み上げ拡散層型MIS半導体装置の製造方法において、上記しきい値電圧調節用のイオン注入が、上記半導体基板の表面に対してほぼ垂直な方向から行われるしきい値電圧を高くする第1の不純物を用いた第1のイオン注入および上記半導体基板の表面の法線に対して少なくとも0度よりも大きな角度をなす方向から行われるしきい値電圧を低くする第2の不純物を用いた第2のイオン注入から成ることを特徴とする積み上げ拡散層型MIS半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/265 S