特許
J-GLOBAL ID：200903027628937177
半導体発光素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-220931
公開番号（公開出願番号）：特開平7-079017
出願日： 1993年09月06日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】【目的】 II-VI族化合物半導体を発光層の材料として青色または緑色の光を出射でき、しかも発光層の一部に効率良く電流を注入でき、安定に光を出力できる半導体発光素子を提供する。【構成】 基板11上に、発光層13を含む複数のII-VI族化合物半導体層12〜17が積層されている。複数のII-VI族化合物半導体層12〜17の層間に、II-VI族化合物半導体層14,16との界面にヘテロバリアを形成するIII-V族化合物半導体層15を所定のパターン形状で設ける。
請求項（抜粋）：
基板上に、発光層を含む複数のII-VI族化合物半導体層が積層された半導体発光素子において、上記複数のII-VI族化合物半導体層の層間に、上記II-VI族化合物半導体層との界面にヘテロバリアを形成するIII-V族化合物半導体層が所定のパターン形状で設けられていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
前のページに戻る
