特許

J-GLOBAL ID：200903027631956433

金属膜の形成方法

発明者： 三谷 克彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-298425
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151358
出願日： 1992年11月09日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【構成】半絶縁性GaAs基板100上のSiO2 膜102の開孔部より露出したn型GaAs層101上に対して、減圧雰囲気中で500°C以上の加熱処理を施した後、WF6ガスとSiH4ガスを用いて選択的にW膜或いはWSi膜104を被着する。【効果】絶縁膜の開孔部より露出したGaAs等の化合物半導体層に選択的に金属膜を形成することが可能になり、化合物半導体回路で自己整合的な電極形成及び微細なコンタクト孔の埋め込みが実現できる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に形成された絶縁膜の開孔部より露出した前記化合物半導体の表面に選択的に金属膜を被着する工程において、前記基板を減圧雰囲気において500°C以上に加熱する工程,還元性ガス雰囲気において前記基板の温度を下げる工程、及び金属のハロゲン化ガスを還元性ガスを用いて還元することにより前記絶縁膜の開孔部より露出した前記化合物半導体の表面に選択的に前記金属膜を被着する工程を含むことを特徴とする金属膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/48 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812