特許

J-GLOBAL ID：200903027636514609

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 飯塚 潤一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-290087
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129332
出願日： 1991年11月06日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 陰極線管(CRT)に代わるものとして期待されている液晶ディスプレイ(LCD)を構成する薄膜トランジスタの製造方法、特に、透光性基板上に動作層として形成されるシリコン膜の形成方法に関し、ガラス等の透光性基板上にシリコン膜を低温で堆積し、アニール実施後に薄膜トランジスタの形成領域に大粒径で結晶性の良好なシリコン結晶を選択的に形成してそこに薄膜トランジスタを形成し、薄膜トランジスタの電気特性を良好にするとゝもに特性のばらつきを少なくする方法を提供することを目的とする。【構成】 透光性基板1上にシリコン膜2を堆積し、透光性基板1側からレーザ光を照射した後アニールを施す工程を有する薄膜トランジスタの製造方法をもって構成する。

請求項（抜粋）：

透光性基板(1)上にシリコン膜(2)を堆積し、前記透光性基板(1)側からレーザ光を照射した後アニールを施す工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12