特許

J-GLOBAL ID：200903027642244338

半導体レーザー励起固体レーザー

発明者： 岡崎 洋二 ,  日向 浩彰
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-113570
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307180
出願日： 1999年04月21日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 レーザー媒質としてNd:YVO4 結晶を用いた半導体レーザー励起固体レーザーにおいて、発振光のビーム断面形状が楕円状等に変形することを防止する。【解決手段】 半導体レーザー11から発せられたレーザー光(励起光)10によりNd:YVO4 結晶14を励起する半導体レーザー励起固体レーザーにおいて、Nd:YVO4 結晶14として、Ndの添加量が0.5at%以上1.0at%未満のものを用いる。

請求項（抜粋）：

半導体レーザーから発せられたレーザー光によりNd:YVO4 結晶を励起するc軸吸収、c軸発振の半導体レーザー励起固体レーザーにおいて、前記Nd:YVO4 結晶として、Ndの添加量が0.4at%以上0.7at%未満のものが用いられたことを特徴とする半導体レーザー励起固体レーザー。

IPC (4件)：

H01S 3/094 ,  G02F 1/37 ,  H01S 3/109 ,  H01S 3/16

FI (4件)：

H01S 3/094 S ,  G02F 1/37 Z ,  H01S 3/109 ,  H01S 3/16

Fターム (18件)：

2K002AB12 ,  2K002BA03 ,  2K002EA07 ,  2K002FA27 ,  2K002GA04 ,  2K002GA05 ,  2K002HA20 ,  5F072AB20 ,  5F072FF09 ,  5F072JJ20 ,  5F072KK01 ,  5F072KK06 ,  5F072KK08 ,  5F072KK12 ,  5F072PP07 ,  5F072QQ02 ,  5F072RR01 ,  5F072SS01