特許
J-GLOBAL ID：200903027655714333
フローティング部を有する半導体装置及びフローティング単結晶薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
四宮 通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-209622
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040539
出願日： 1997年07月18日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 複数のフローティング部を有する半導体装置の集積度を上げる。【解決手段】 半導体装置は、各々が基板20により支持部31a,31bを介して支持されて浮き2次元状に配列された複数のフローティング部30を備える。各フローティング部30における外周部分には、第2のエッチングストップ領域22が形成されている。各フローティング部30には、赤外線センサ等の所定の素子が形成される。基板20には、複数の閉領域を区画するように、第1のエッチングストップ領域25が形成される。前記各閉領域内には、左右に隣り合う1対のフローティング部30がそれぞれ配置される。左側フローティング部30の領域22の右辺部分と右側フローティング部30の領域22の左辺部分)が、図1(b)に示すように、空隙23を介して対向している。
請求項（抜粋）：
各々が基板により支持部を介して支持されて浮いた複数のフローティング部であって、1次元状又は2次元状に配列された複数のフローティング部を備え、前記各フローティング部に所定の素子が形成された半導体装置であって、前記基板には、1つ以上の閉領域を区画するように、第1のエッチングストップ領域が形成され、前記各フローティング部における外周部分に第2のエッチングストップ領域が形成され、前記1つ以上の閉領域の各々内に、前記複数のフローティング部のうちの2つ以上のフローティング部がそれぞれ配置され、前記1つ以上の閉領域の各々内に配置された前記2つ以上のフローティング部のうちの隣り合う少なくとも1対のフローティング部の前記第1のエッチングストップ領域における互いに隣接した部分同士が、空隙を介して対向したことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/306
, G01J 1/02
, H01L 27/14
, H01L 35/32
H01L 21/306 U
, G01J 1/02 C
, H01L 35/32 A
, H01L 27/14 K
