メモリ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-014082
公開番号（公開出願番号）：特開平11-213693
出願日： 1998年01月27日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】符号長を長くし、少ない冗長データで高い誤り訂正能力を持たせる。【解決手段】1バイト(8ビット)のデータである入力データDinを符号化器12に供給する。符号化器12では、入力データDinを書き込みデータWDとしてのSSRS符号(1シンボル=8ビット、情報512シンボル、冗長データ5シンボル)に変換する。符号化器12からの書き込みデータWDを変換器13で4ビットデータに変換してセルアレイ11に供給し、各セルに順次書き込む。読み出し時、復号器15では、呼び出しデータRDとしてのSSRS符号をリード・ソロモン符号(1シンボル=10ビット、517シンボルの2誤り訂正可能な短縮化リード・ソロモン符号)に戻して誤り訂正処理をし、出力データDoutとしての8ビットデータを得る。誤り訂正符号としてSSRS符号を用いることで、例えばリード・ソロモン符号を用いるものと比べて符号長を長くできる。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルを有し、それぞれのメモリセルが少なくとも1ビットのデータを記憶するセルアレイと、入力データをSSRS符号に変換して上記セルアレイに書き込むための書き込みデータを得る符号化器と、上記セルアレイより読み出される読み出しデータに誤り訂正処理を施して出力データを得るSSRS符号復号器とを備えることを特徴とするメモリ装置。

IPC (4件)：

G11C 29/00 631 , G06F 11/10 330 , G06F 12/16 320 , G11C 16/06

FI (4件)：

G11C 29/00 631 Z , G06F 11/10 330 P , G06F 12/16 320 F , G11C 17/00 639 C

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