特許

J-GLOBAL ID：200903027662842304

有機EL表示装置の製造装置および製造方法

発明者： 田辺 宏 ,  戸倉 智司
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-233654
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057289
出願日： 1999年08月20日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 高品質な有機EL表示装置を、効率よく、かつ低価格で量産することのできる有機EL表示装置の製造装置及び製造方法を実現する。【解決手段】 各蒸発源の開口部上の中心で開口部よりL0の距離における蒸気密度m0に対する開口部の中心線からの放射角θで開口部より距離L離れた任意の位置での蒸気密度mの比をm/m0=(L0/L)2・cosnθとして近似したn値が、ホスト材料の蒸発源:n=3〜10、ゲスト材料の蒸発源:n=8〜18であって、基板2に対するホスト材料の蒸発源の位置を、基板の中央から基板の端部までの距離の1.0〜2.0倍の位置に配置し、ゲスト材料の蒸発源の位置を、基板の中央からその端部までの距離の0.5〜1.0倍の位置に配置し、ホスト材料の蒸発源及びゲスト材料の蒸発源を同時に用い、少なくとも2種以上の材料を同時に蒸着する製造方法及びこれを用いた製造方法とした。

請求項（抜粋）：

有機EL表示装置が形成される基板と、この基板を回転させる回転手段と、ホスト材料の蒸発源と、ゲスト材料の蒸発源とを有し、前記各蒸発源の開口部上の中心で開口部よりL0 の距離における蒸気密度m0に対する開口部の中心線からの放射角θで開口部より距離L離れた任意の位置での蒸気密度mの比をm/m0 =(L0 /L)2 ・cosnθとして近似したときの値であるn値が、ホスト材料の蒸発源:n=3〜10ゲスト材料の蒸発源:n=8〜18であって、前記基板に対するホスト材料の蒸発源の位置を、基板の中央に対して、基板の中央から基板の端部までの距離の1.0〜2.0倍の位置に配置し、前記基板に対するゲスト材料の蒸発源の位置を、基板の中央に対して、基板の中央から基板の端部までの距離の0.5〜1.0倍の位置に配置し、前記各蒸発源の開口部から基板面が含まれる平面までの垂直距離が、基板の中央から端部までの距離の1.0〜3.5倍であり、前記ホスト材料の蒸発源、およびゲスト材料の蒸発源を同時に用い、少なくとも2種以上の材料を同時に蒸着する有機EL表示装置の製造装置。

IPC (2件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/14

FI (2件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A

Fターム (12件)：

3K007AB03 ,  3K007AB18 ,  3K007BB06 ,  3K007CA01 ,  3K007CA02 ,  3K007CA05 ,  3K007CB01 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03