特許
J-GLOBAL ID：200903027676767577
不揮発性半導体メモリ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-077927
公開番号（公開出願番号）：特開平5-282888
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、メモリセルに破壊が生じても、重複して記憶させた各データが同時に失われず高い信頼性を保持することを目的とする。【構成】 複数個のページから構成されるブロックに分割されたメモリセルアレイを備えたメモリ手段10と、同一内容のデータをメモリ手段10の複数箇所に重複して記憶させる場合において、その各データが記憶される領域が同一ブロックを共有することがないように制御する制御手段20とを有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
複数個のページから構成されるブロックに分割されたメモリセルアレイを備え、不揮発性メモリ機能を有するメモリ手段と、同一内容のデータを前記メモリ手段の複数箇所に重複して記憶させる不揮発性半導体メモリ装置において、当該各データの記憶される領域が同一の前記ブロックを共有することがないように制御する制御手段とを有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (2件)：
G11C 16/06
, G06F 12/02 510
