半導体メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-266961
公開番号（公開出願番号）：特開平6-119781
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】ダイナミックRAMのワード線の分割デコード方式において、サブワード線に電源を供給する配線の寄生容量を減少させ、消費電力の削減、面積の縮小、高速化をはかること。【構成】サブワード線1601...に電源を供給する配線(以後電源供給線1401...)を分割する。従って、電源供給線1401...の寄生容量の大部分を占めるワードドライバ1501〜の拡散層容量は分割数分の1となる。電源供給線駆動回路はセルアレイ上に分割配置する。電源供給線駆動回路は行デコーダ側から、もしくは行デコーダ側とこれに直交する方向双方に配置された選択信号により、電源供給線をアレイ上に配置された電源と接地電位に選択的に接続する。従って、1サイクル内で充放電される電源供給線は分割された内の1本だけである。これにより、一サイクル内で電源供給線を充放電する電流は大幅に減り、消費電力の低減、高速化、面積縮小が行える。

請求項（抜粋）：

アドレス信号により選択される電源選択線選択回路と、前記電源選択線選択回路により選択される電源選択線と、前記電源選択線により選択される電源供給線を持ち、選択されたワードドライバに接続された一部の電源供給線のみが選択的に電源と接続されるワード線駆動回路系を有することを特徴とする半導体メモリ。

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