特許
J-GLOBAL ID：200903027679986695
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-071823
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275547
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【構成】金配線5上にプラズマCVDにより、シリコンリッチでSi-H結合およびN-H結合を含む厚さ30nmの窒化シリコン膜6および厚さ500nmの酸化シリコン膜2aを形成する。【効果】金配線上に直接層間絶縁膜を形成することが可能になり、製造工程を簡略化することができた。従来金配線直上に形成されていたチタンタングステンのような導電膜が不要になり、パターン微細化が容易になった。層間に酸化シリコン膜のような誘電率の小さい絶縁膜を挟むことにより、高速動作が可能になった。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に形成された金配線直上にSi-H結合またはN-H結合を含む窒化シリコン膜が形成された半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, C23C 16/34
, H01L 21/318
