特許

J-GLOBAL ID：200903027682571714

電界効果トランジスタ

発明者： 森井 知行
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-241218
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107203
出願日： 1994年10月05日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：

【要約】【目的】 ゲート電極下方に所定の数のポリシリコン層チャネル部を有する電界効果トランジスタを用いたドレイン電流値の非連続化。【構成】 制御ゲート電極4の下方にゲート酸化膜を介して粒径の異なるポリシリコン層61、62、63が形成されてなる電界効果トランジスタ。【効果】 制御ゲート電極4に印加する電圧を調整することにより、ポリシリコン層61、62、63のうちの選択されたポリシリコン層をチャネルとして、ソース2からドレイン3に電子が移動する。ポリシリコン層のチャネル抵抗の相違から、電界効果トランジスタの非連続的な電流増幅率を得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、シリコン粒子からなり、かつ、異なる粒子径を有する複数の第1導電型のポリシリコン層と、前記半導体基板上であって、前記第1導電型のポリシリコン層の両側に形成された一対の第2導電型不純物領域と、前記第1導電型のポリシリコン層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有する電界効果トランジスタであって、電流増幅時に、前記一対の第2導電型不純物領域のうちの一方の第2導電型不純物領域に電圧を印加し、他方の第2導電型不純物領域を接地した状態で、前記ゲート電極に印加される電圧の変化により前記複数の第1導電型のポリシリコン層の中で選択された第1導電型のポリシリコン層が第2導電型に反転させてチャネル領域を形成し、前記チャネル領域を通じて前記一対の第2導電型不純物領域のうちの一方の第2導電型不純物領域から他方の第2導電型不純物領域に電荷を移動させ、この電荷の移動により前記チャネル領域を移動する電荷量を非連続的に変化させることを特徴とする電界効果トランジスタ。