特許

J-GLOBAL ID：200903027686687881

パラジウム錯体及びその製造方法、触媒並びに反応方法

発明者： 會澤 宣一
出願人/特許権者： 国立大学法人富山大学
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  沖田 英樹
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2006315015
公開番号（公開出願番号）：WO2007-026490
出願日： 2006年07月28日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：

Pd(0)と、下記一般式(10)で表されるホスフィンカルコゲニド基を有するホスフィンカルコゲニド化合物を含む配位子と、を有するパラジウム錯体。 【化1】[式中、Xは硫黄原子、セレン原子又はテルル原子を示す。]

請求項（抜粋）：

Pd(0)と、 下記一般式(10)で表されるホスフィンカルコゲニド基を有するホスフィンカルコゲニド化合物を含む配位子と、を有するパラジウム錯体。

IPC (6件)：

C07F 9/53 ,  C07C 1/32 ,  C07C 1/30 ,  C07C 15/14 ,  C07C 15/52 ,  B01J 31/24

FI (6件)：

C07F9/53 ,  C07C1/32 ,  C07C1/30 ,  C07C15/14 ,  C07C15/52 ,  B01J31/24 Z

Fターム (37件)：

4G169AA06 ,  4G169BA21A ,  4G169BA21B ,  4G169BA27A ,  4G169BA27B ,  4G169BC72A ,  4G169BC72B ,  4G169BD08A ,  4G169BD08B ,  4G169BD09A ,  4G169BD10A ,  4G169BE27B ,  4G169CB59 ,  4G169DA02 ,  4H006AA02 ,  4H006AC24 ,  4H006BA25 ,  4H006BA48 ,  4H006BB15 ,  4H006BB20 ,  4H006BB61 ,  4H039CA41 ,  4H039CD10 ,  4H039CD20 ,  4H050AA01 ,  4H050AA02 ,  4H050AA03 ,  4H050AB40 ,  4H050AC70 ,  4H050BB12 ,  4H050BB15 ,  4H050BE90 ,  4H050WA14 ,  4H050WA28 ,  4H050WB11 ,  4H050WB16 ,  4H050WB21

引用特許：

出願人引用 (3件)

• パラジウム錯体触媒を利用した電子吸引性基置換化合物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-113215   出願人：三菱レイヨン株式会社
• 交差-カップリング反応用のパラジウム触媒の調製および使用
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-133832   出願人：バイエルアクチェンゲゼルシャフト
• 2,2-(ジアリール)ビニルホスフィン化合物、そのパラジウム触媒、および該触媒を用いるアリールアミン類、ジアリール類およびアリールアルキン類の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-190746   出願人：高砂香料工業株式会社