特許

J-GLOBAL ID：200903027698939576

ハフニウムベースの高誘電率誘電体の原子層堆積

発明者： リー サン イン ,  オウヤン ジョン エス ,  千崎 佳秀 ,  ヘルムズ オーブリー エル ,  カプキン ケレム
出願人/特許権者： アヴィザ テクノロジー インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-534141
公開番号（公開出願番号）：特表2007-519225
出願日： 2004年09月30日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：

ハフニウムベースの誘電体膜を堆積する方法が提供される。本方法は、オゾンとハフニウム前駆体を含む1つ又はそれ以上の反応物質とを用いた原子層堆積段階を含む。半導体デバイスもまた提供される。該デバイスは、基板と、基板上に形成されたハフニウムベースの誘電体層と、基板及びハフニウムベースの誘電体層間に形成された界面層とを含み、該界面層は二酸化ケイ素を含み且つ結晶構造を有する。【選択図】図1A、図1B

請求項（抜粋）：

オゾンとハフニウム前駆体を含む1つ又はそれ以上の反応物質とを用いた原子層堆積段階を含むハフニウムベースの誘電体膜を堆積する方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/40 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108

FI (5件)：

H01L21/316 X ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  H01L29/78 301G ,  H01L27/10 651

Fターム (31件)：

4K030AA01 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA10 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030BB05 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F058BA06 ,  5F058BC03 ,  5F058BF02 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ04 ,  5F083JA02 ,  5F083JA12 ,  5F083PR21 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD06 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第6,579,372号
  
• 米国特許第6,573,184号