特許
J-GLOBAL ID：200903027701084129
チップ型サージ吸収素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-028494
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217057
出願日： 2000年02月07日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：
【要約】【課題】 量産性が良く、低コストで、表面実装が可能な、放電回数の繰り返し寿命が優れたチップ型サージ吸収素子を得る。【解決手段】 一対の外部電極7a,7bを有する絶縁性セラミック焼結体11の内部、1対の内部電極8a,8bと放電空間10を有したチップ型サージ吸収素子であって、一対の内部電極8a,8bの最近接部の電極9の形状が円環形状であり、電極間ギャップに形成される放電空間10の平面の面積が、最近接部の電極9の面積より大きい平面を有する空間であるチップ型サージ吸収素子とする。
請求項（抜粋）：
一対の外部電極を有する絶縁性セラミック焼結体の内部に1対の内部電極と放電空間を有したチップ型サージ吸収素子であって、前記一対の内部電極の最近接部の電極の形状が円環形状であり、電極間ギャップに形成される放電空間の平面の面積が、前記最近接部の電極の円環形状に含まれる面積より大きいことを特徴とするチップ型サージ吸収素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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