特許

J-GLOBAL ID：200903027705902284

偏極電子線発生素子

発明者： 中西 彊 ,  奥見 正治 ,  堀中 博道 ,  坂 貴 ,  加藤 俊宏 ,  大森 恒彦 ,  栗原 良将 ,  馬場 寿夫
出願人/特許権者： 大同特殊鋼株式会社
代理人 (1件)： 池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-257983
公開番号（公開出願番号）：特開2000-090817
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 高い量子効率および偏極度が得られるとともに、実用性の高い励起波長帯が得られる偏極電子線発生素子を提供する。【解決手段】 極電子線発生素子10の半導体光電層16が、30オングストローム程度の薄いGaAs層16b とGaAsP層16a とが互いに積層されることにより量子化されたエネルギー準位を形成する歪み超格子層から構成されているので、高い量子効率および偏極度が得られるとともに、半導体レーザの使用が可能な実用性の高い励起波長帯すなわち800〜830nm程度の励起波長帯が得られる。

請求項（抜粋）：

価電子帯にバンドスプリッティングを有する半導体光電層を備え、該半導体光電層に励起光が入射されることにより該半導体光電層からスピン方向が偏在している偏極電子線を発生する偏極電子線発生素子であって、前記半導体光電層が、GaAs層とGaAsP層とが交互に積層されることにより量子化されたエネルギー準位を形成する歪み超格子層から構成されたことを特徴とする偏極電子線発生素子。

IPC (3件)：

H01J 1/34 ,  G21K 5/04 ,  H01J 37/06

FI (3件)：

H01J 1/34 C ,  G21K 5/04 E ,  H01J 37/06 Z

Fターム (3件)：

5C030BB17 ,  5C030BC06 ,  5C035CC05