特許

J-GLOBAL ID：200903027713929817

ICカードの製造方法

発明者： 小松 昭彦
出願人/特許権者： 共同印刷株式会社
代理人 (1件)： 丸山 隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-093358
公開番号（公開出願番号）：特開2000-280666
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
要約：

【要約】【課題】 配線基板層上に設けられたコンタクト端子を精度良く露出させることのできるICカードの製造方法を提供する。【解決手段】 配線基板保護層5の下面に配線基板層3上に形成されたコンタクト端子31と対抗する位置に所定の深さの切れ込みを形成し、最下層から順に、第1の保護層1と第1の接着層2と配線基板層3と第2の接着層4と配線基板保護層5と第3の接着層6と第2の保護層7とを積層し、積層された各層を上下方向から挟み込み熱圧着し、第2の保護層7の表面からコンタクト端子31を露出するためのザグリ穴を切れ込み部分に相当する深さまで形成し、ザグリ穴の底部に残存する配線基板保護層5の断片を除去し、除去されたザグリ穴にICモジュール8を搭載してコンタクト端子31とICモジュール8の接続端子81とを接続する。以上の方法により、配線基板層3を傷つけることなくコンタクト端子を精度良く露出させることができる。

請求項（抜粋）：

接触及び非接触によりデータ通信を行うICカードの製造方法において、アンテナ部材とコンタクト端子とを備える配線基板層の上面に設けられ該配線基板層を保護する配線基板保護層の下面に対して、前記コンタクト端子と対向する位置に所定の深さの切れ込みを形成する切れ込み形成工程と、最下層から順に、第1の保護層と第1の接着層と前記配線基板層と前記コンタクト端子と対向する位置に透孔を備える第2の接着層と前記切れ込み形成工程により切れ込みを形成された前記配線基板保護層と第3の接着層と第2の保護層とを積層する積層工程と、前記積層工程により積層された前記各層を上下方向から挟み込み熱圧着する熱圧着工程と、前記熱圧着工程により熱圧着された前記各層の最上層である前記第2の保護層から前記コンタクト端子を露出するためのザグリ穴を前記切れ込み形成工程により形成された前記配線基板保護層の切れ込み部分に相当する深さまで形成するザグリ穴形成工程と、前記ザグリ穴形成工程により前記切れ込み部分まで形成された前記ザグリ穴の底部に残存する前記配線基板保護層の切れ込み部分における断片を除去する除去工程と、前記除去工程により前記断片を除去された前記ザグリ穴にICモジュールを搭載して前記底部に露出した前記コンタクト端子と該ICモジュールの接続端子とを接続する接続工程と、を有することを特徴とするICカードの製造方法。

IPC (2件)：

B42D 15/10 521 ,  G06K 19/077

FI (2件)：

B42D 15/10 521 ,  G06K 19/00 K

Fターム (15件)：

2C005MA19 ,  2C005MA31 ,  2C005NA02 ,  2C005NA08 ,  2C005PA06 ,  2C005PA14 ,  2C005PA18 ,  2C005RA04 ,  2C005RA15 ,  5B035AA04 ,  5B035BA04 ,  5B035BA05 ,  5B035BB09 ,  5B035CA08 ,  5B035CA25