特許

J-GLOBAL ID：200903027716619240

半導体装置の製造方法

発明者： 中村 智史
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-299851
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151830
出願日： 1992年11月10日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 製造工程における高温加熱等を回避し、信頼性の高い半導体装置を得ることができる製造方法の提供を目的とする。【構成】 シリコン基板2上にゲート酸化膜4、フローティングゲート6を形成した後、LP-CVD装置を用いてテトラエトオキシシラン(Si(OC2H5)4)を供給し、ボトム酸化膜10を形成する。さらに、シリコン窒化膜12の形成後、LP-CVD装置を用いてテトラエトオキシシランを供給し、トップ酸化膜14を形成する。また、コントロールゲート8も形成する。このように、LP-CVD装置を用いるため、低温、短時間でボトム酸化膜10、トップ酸化膜14を形成することができる。さらに、テトラエトオキシシランを用いることによって、均一な膜厚を得ることが可能になる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上部に第1層を形成するステップ、第1層内に不純物を拡散させるステップ、気相成長装置を用いてテトラエトオキシシラン(Si(OC2H5)4)を供給し、第1層の上部に第2層を形成するステップ、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-155769
  
• 特開平3-280466
  
• 特開平1-152650