特許

J-GLOBAL ID：200903027722619987

パターン形成方法

発明者： 深瀬 健二 ,  青江 弘行
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-304871
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132216
出願日： 1992年10月16日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、2層のレジスト膜を2段露光・現像により光位相シフト効果を用いて任意のパターンを形成するパターン形成方法において、第1段の露光・現像で矩形の段差を形成することができ、しかも、段差の深さを簡単にコントロールできるようにしたパターン形成方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板1上に下層レジスト膜2を成膜した上に、下層レジスト膜と光学的特性の異なる上層レジスト膜3を成膜し、第1段階の露光・現像で、マスクパターン4を用いて上層レジスト膜3を露光・現像して上層レジスト膜3の膜厚と概ね同じ厚さの矩形の表面段差を形成する構成とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に2層のレジスト膜を塗布し、2段階露光・現像により光位相シフト効果を用いて任意のパターンを形成するパターン形成方法において、半導体基板上に下層レジスト膜を成膜した上に、前記下層レジスト膜と光学的特性の異なる上層レジスト膜を成膜し、第1段の露光・現像時に、マスクパターンを用いて上層レジスト膜のみを感光させ、現像して上層レジスト膜の膜厚と概ね同じ厚さの矩形の表面段差を形成することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 511

FI (2件)：

H01L 21/30 361 S ,  H01L 21/30 301 C