半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-067672
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275689
出願日： 1992年03月26日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】双方向ダイオードあるいは双方向2端子サイリスタなどの両面の電極へのはんだ付けの際に、はんだの回り込みによる短絡の発生を防ぐ。【構成】チップ形成のためにウエーハをダイシングする際、両面からの溝の内面を絶縁膜で覆ってから分解することにより、はんだが側面に回り込んでも絶縁膜によって短絡が阻止される。

請求項（抜粋）：

半導体基板の両面から対向して溝を形成し、その溝に沿って基板を分割して得た半導体素板の両面に被着した電極とそれぞれの接続導体とを同時にろう付けする半導体装置の製造方法において、半導体基板を分割する前に溝の内面を絶縁膜で覆うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/747 , H01L 21/02 , H01L 21/78 , H01L 21/31 , H01L 29/74

前のページに戻る