バンプ電極の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-013445
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213700
出願日： 1996年01月30日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】本発明は、バンプ電極用金属が腐食したり、副反応生成物が生成することのないバンプ電極の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、バリア金属膜除去工程において用いられるエッチング液として、塩酸:硝酸=1:9〜1:20の混合比の逆王水を酢酸で20〜25倍に希釈したもの、又は、アンモニア:過酸化水素=1:3〜1:4の混合比の溶液を水で2〜3倍に希釈しエチレンジアミン四酢酸を溶解させたものを用いる。

請求項（抜粋）：

基板上に成膜された端子金属膜を覆う絶縁膜に開孔された窓を介して前記端子金属膜に電気的に接続されパラジウム又はニッケル又は前記パラジウム及び前記ニッケルが積層されてなるバリア金属膜と、このバリア金属膜上に設けられた半田バンプとからなるバンプ電極の製造方法において、前記バリア金属膜を絶縁膜を介して前記端子金属膜上に形成するバリア金属膜形成工程と、このバリア金属膜形成工程の後に前記半田バンプを前記バリア金属膜上に形成する半田バンプ形成工程と、この半田バンプ形成工程の後に前記半田バンプをマスクとして前記バリア金属膜をエッチングにより除去するバリア金属膜除去工程とを具備し、前記バリア金属膜除去工程においては、前記バリア金属膜の除去を、塩酸:硝酸=1:9〜1:20の混合比の逆王水を酢酸で20〜25倍に希釈したエッチング液により行うことを特徴とするバンプ電極の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/321 , C23F 1/28 , C23F 1/30 , C23F 1/40 , H01L 21/60 311

FI (6件)：

H01L 21/92 604 Q , C23F 1/28 , C23F 1/30 , C23F 1/40 , H01L 21/60 311 Q , H01L 21/92 603 E

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