特許

J-GLOBAL ID：200903027734988970

レジストパターンの形成方法

発明者： 伊東 由夫
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-173505
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029799
出願日： 1993年07月14日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】 露光処理後の現像時に溶解性の異なるレジストを、例えば2層構造といった多層構造に形成し、デフォーカスの影響でのトップの膜減りとボトム部の丸みを同時になくすことができるレジストパターンの形成方法を提供する。【構成】 半導体装置を製造するホトリソグラフィ工程で用いるレジストパターンの形成方法において、露光処理後の現像時に溶解性の異なるホトレジスト膜を下層のレジスト薄膜11と上層のレジスト薄膜12と多層構造に形成する工程と、該多層構造のホトレジスト膜に回路パターンの形成に用いる露光処理を施こす工程と、前記多層構造のホトレジスト膜に現像処理を施し、上層に形成されるホトレジスト薄膜12が、下層に形成されるホトレジスト膜11に比較して、同一露光量の露光処理に対して現像時の溶解性が低くなるように形成する。

請求項（抜粋）：

半導体装置を製造するホトリソグラフィ工程で用いるレジストパターンの形成方法において、(a)露光処理後の現像時に溶解性の異なるホトレジスト膜を多層構造に形成する工程と、(b)該多層構造のホトレジスト膜に回路パターンの形成に用いる露光処理を施こす工程と、(c)前記多層構造のホトレジスト膜に現像処理を施し、上層に形成されるホトレジスト膜が、下層に形成されるホトレジスト膜に比較して、同一露光量の露光処理に対して現像時の溶解性が低くなるように形成したことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 511

FI (3件)：

H01L 21/30 573 ,  H01L 21/30 564 ,  H01L 21/30 569