特許

J-GLOBAL ID：200903027740838335

積層セラミック電子部品の製造方法

発明者： 平手 晃司 ,  井口 隆 ,  沖中 庸一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-278797
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129481
出願日： 1995年10月26日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 金属電極層とセラミック層が交互に積層された積層セラミック電子部品において内部構造欠陥を抑制し、かつ絶縁性の低下のない優れた電気特性を有する製品を提供することを目的とする。【解決手段】 脱バインダー処理の降温時、電極金属層が大気中で酸化される温度までは電極金属が酸化されない雰囲気で処理し、その後の電極金属が大気中で酸化されない温度以下においては大気中で処理する。

請求項（抜粋）：

セラミック層と電極金属層が交互に複数層積層された積層セラミック電子部品の脱バインダー処理工程において、昇温過程は前記電極金属層が酸化されない雰囲気中で処理し、その後の降温過程において前記電極金属層が大気中で酸化されない程度の温度域まで降温した後は大気中で処理することを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。

IPC (3件)：

H01G 4/12 364 ,  C04B 35/638 ,  H01G 4/30 311

FI (3件)：

H01G 4/12 364 ,  H01G 4/30 311 Z ,  C04B 35/64 301