特許

J-GLOBAL ID：200903027750018930

マスク、それを用いたパターン形成方法およびリソグラフィ方法

発明者： 西山 誠司 ,  脇田 尚英
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 大前 要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-211483
公開番号（公開出願番号）：特開2003-029393
出願日： 2001年07月12日
公開日（公表日）： 2003年01月29日
要約：

【要約】【課題】層厚の異なる段差であって面内での均一性に優れた段差を、レジストに形成することが一括露光方式により可能なマスクを提供する。【解決手段】基板6上に積層された感光性樹脂層7に露光して、感光性樹脂層7に潜像を形成する為に用いられるフォトマスク1が、透明性を有する支持体2と、支持体2上に設けられた、不透明な遮光部3および透過部4とから構成され、さらに透過部4は透過する光の波長領域が相互に異なる第1透過波長選択領域4aと第1透過波長選択領域4bを有している。

請求項（抜粋）：

基板上に積層された少なくとも1層の感光性樹脂層に露光して、該感光性樹脂層に潜像を形成する為に用いられるマスクであって、前記マスクは、透明性を有する支持体と、該支持体上に設けられた、不透明な遮光部および透過部とから構成され、前記透過部は、透過する光の波長領域が相互に異なる複数の透過波長選択領域を有することを特徴とするマスク。

IPC (4件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 1/08 G ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 569 F ,  H01L 21/30 573

Fターム (15件)：

2H025AA00 ,  2H025AB14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025DA13 ,  2H025EA08 ,  2H095BA01 ,  2H095BB35 ,  2H095BC05 ,  5F046AA25 ,  5F046CB17 ,  5F046LA18 ,  5F046LA19 ,  5F046NA19