特許
J-GLOBAL ID：200903027752836230
基板へのバンプアレイの形成方法及び形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-063539
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236530
出願日： 1995年02月28日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【目的】 メッキ法によって均一な高さのバンプアレイを形成することを可能にする形成方法と形成装置を提供する。【構成】 基板11の表面に形成された電極アレイを開口するマスクと、このマスクの表面を遮蔽して開口を閉塞可能な遮蔽板6とを設けておき、基板11を電解液2中に浸漬して電極アレイにメッキ電流を印加する際には遮蔽板6をマスク表面に密接させて開口を閉塞し、メッキ電流を遮断したときには遮蔽板6を退避させて開口を開放させる。メッキ電流が印加されたときには電極アレイ上の開口は遮蔽されるため、開口の内部に残留した金属イオンのみによってメッキ反応が生じるため、電流が流れ易さの違いにかかわらず、電極アレイにおけるメッキ量は一定となり、電極に形成されるバンプアレイの高さを均一化することが可能となる。
請求項（抜粋）：
基板の表面に配設された電極アレイ上にメッキ法によりバンプを形成するバンプアレイの形成方法において、電解液中に浸漬した電極アレイの表面を遮蔽した状態で電極にメッキ電流を印加し、かつメッキ電流を遮断したときに電極アレイの表面を電解液に接触させることを特徴とする基板へのバンプアレイの形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 604 B
, H01L 21/92 603 A
