特許

J-GLOBAL ID：200903027754074052

半導体集積回路

発明者： 和田 修
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-275561
公開番号（公開出願番号）：特開2004-112666
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】異なる2つの値の電源電圧が供給される論理回路を有する半導体集積回路において、一つの電源電圧が不安定になった際に内部に流れる貫通電流を防止し、電力の消費量を削減できるとともに誤動作も防止できる半導体集積回路を提供することを目的とする。【解決手段】外部から供給される互いに異なる2つの値の電源電圧のいずれか一方が変動した場合、2つのレベル変換回路13,14を夫々構成するフルラッチ回路の電源端子間に夫々直列接続された導電型の異なる2個のトランジスタでなる2組のトランジスタ回路の交差接続されたゲートにおける電位の差が拡大的に収束する結果、この2組のトランジスタ回路を流れる貫通電流を防ぐと共に、正常状態を保っている電源電圧の振幅で出力するレベル変換回路からはその電源電圧のいずれかのレベルに論理の固定された信号を出力するように構成される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の電圧レベルの振幅を持つ第1の電源電圧が供給され、前記第1の電圧レベルの振幅を持つ第1の信号を出力する第1の論理回路と、 前記第1の電源電圧および前記第1の電源電圧とは異なる第2の電圧レベルの振幅を持つ第2の電源電圧が供給され、前記第1の信号のレベルを前記第1の電圧レベルの振幅から前記第2の電圧レベルの振幅に変換して第2の信号を出力する第1のレベル変換回路と、 前記第2の電圧レベルの振幅を持つ第2の電源電圧が供給され、前記第2の電圧レベルの振幅を持つ第3の信号を出力する第2の論理回路と、 前記第1、第2の論理回路の間に接続され、前記第1、第2の電源電圧が供給され、前記第2の論理回路から出力された前記第2の電圧レベルの前記第3の信号を前記第1の電圧レベルにレベル変換して第4の信号を前記第1の論理回路に出力する第2のレベル変換回路と、 を具備することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H03K19/0185 ,  G11C11/407 ,  G11C11/409

FI (3件)：

H03K19/00 101E ,  G11C11/34 354F ,  G11C11/34 353E

Fターム (23件)：

5J056AA11 ,  5J056BB00 ,  5J056BB17 ,  5J056BB19 ,  5J056CC00 ,  5J056CC14 ,  5J056CC21 ,  5J056DD12 ,  5J056DD29 ,  5J056EE06 ,  5J056FF08 ,  5J056GG09 ,  5M024AA05 ,  5M024AA24 ,  5M024BB14 ,  5M024BB15 ,  5M024BB29 ,  5M024CC65 ,  5M024CC74 ,  5M024FF20 ,  5M024FF30 ,  5M024PP01 ,  5M024PP03