半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-173051
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007109
出願日： 1999年06月18日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】層間絶縁膜に平坦化処理を施して形成される従来の多層配線構造の半導体装置においては、繰り返し配線パターンの第2層目最外周配線がそれを覆う第2の層間絶縁膜のリフロー処理によりたわんでしまい、第2層目最外周配線とその横を縦に貫通する第3層目最外周配線とがショートしてしまう、という問題があった。【解決手段】層間絶縁膜上を走る繰り返し配線パターンの外側に、それと並行して、コンタクトで連結された下層配線と上層配線(第2層目)とで構成される繰り返しダミー配線を走らせることにより、繰り返し配線パターンを覆う層間絶縁膜のリフロー処理による繰り返し配線パターンの最外周配線の横方向へのたわみを防止することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に形成された第1の絶縁膜上に設けられ、所定の間隔で前記第1の絶縁膜上を並行して走るパターンが繰り返される第1の配線層と、前記第1の配線層を含む前記第1の絶縁膜上に形成された第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜上に形成され、前記第1の配線層上方をそれと並行して走る第2の配線層と、前記第2の配線層を含む前記第1の層間絶縁膜上に形成された第2の層間絶縁膜と、前記第2の層間絶縁膜上に形成され、前記第1の配線層及び前記第2の配線層の両側にそれらから離間して前記第1の層間絶縁膜及び前記第2の層間絶縁膜を貫通するコンタクトと、前記コンタクトを充填し、かつ、前記第2の層間絶縁膜上を前記第2の配線層と並行して走る第3の配線層と、からなっており、前記コンタクトに対して前記第1の配線層の反対側に前記第1の配線層と同じ材料からなり、前記第1の絶縁膜上を前記第1の配線層と並行して走る第1のダミー配線層と、前記第1のダミー配線層上にあって前記第1の層間絶縁膜を貫通する第1のダミーコンタクトと、前記第1のダミーコンタクトを充填し、かつ、前記コンタクトに対して前記第2の配線層の反対側に前記第2の配線層と同じ材料からなり、前記第1の層間絶縁膜上を前記第2の配線層と並行して走る第2のダミー配線層と、からなるダミー構造体を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 S , H01L 21/90 R

Fターム (21件)：

5F033HH04 , 5F033HH28 , 5F033KK04 , 5F033KK07 , 5F033KK28 , 5F033MM01 , 5F033MM07 , 5F033NN01 , 5F033PP06 , 5F033QQ19 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ75 , 5F033RR04 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033SS11 , 5F033TT01 , 5F033VV01 , 5F033XX31

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