特許
J-GLOBAL ID：200903027757666449
強誘電性液晶素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀井 弘勝 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-146021
公開番号（公開出願番号）：特開平5-341271
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 高速応答性を有し、液晶分子の配向安定性にすぐれるとともに、マトリクス駆動に適したしきい値特性を有する強誘電性液晶素子とその製造方法を提供する。【構成】 強誘電性液晶素子は、液晶性高分子または非液晶性高分子を添加した低分子量の強誘電性液晶材料1を、配向処理を施した一対の基材2で挟着した。製造方法は、液晶性高分子または非液晶性高分子を添加した低分子量の強誘電性液晶材料1を、一対の基材2間にラミネートまたは注入した後、加熱、徐冷して液晶を配向させる。
請求項（抜粋）：
低分子量の強誘電性液晶材料を、液晶分子のらせん構造の形成が抑制される距離に配置した、少なくとも一方の表面に電極層を形成し、配向処理を施した一対の基材により挟着した強誘電性液晶素子において、上記低分子量の強誘電性液晶材料に、液晶性高分子および非液晶性高分子のうちの少なくとも一方を添加したことを特徴とする強誘電性液晶素子。
IPC (3件)：
G02F 1/1333
, G02F 1/13 101
, G02F 1/1337 510
