特許

J-GLOBAL ID：200903027758538029

半導体集積回路装置

発明者： 西馬 雅彦 ,  堀内 整 ,  小俣 誠
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-295476
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153826
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】 低熱抵抗で、多ピン・高密度実装に適し、プリント配線基板に実装する際の接続信頼性が高いLSIパッケージを安価に提供する。【構成】 配線パターンおよびこのリード配線8の一部を構成する外部電極パッド9を形成したTABテープ6を上記外部電極パッド9が基板1の裏面側に位置するように配置すると共に、上記TABテープ6の周辺部を基板1の主面側に折り曲げ、基板1の主面に搭載した半導体チップ2と基板1の主面側に位置するリード配線8の一端とを電気的に接続したLSIパッケージである。

請求項（抜粋）：

半導体チップを搭載する基板と、配線パターンおよび前記配線パターンの一部を構成する外部電極パッドを形成した絶縁テープとを備え、前記絶縁テープを前記外部電極パッドが前記基板の裏面側に位置するように配置すると共に、前記絶縁テープの周辺部を前記基板の主面側に折り曲げ、前記基板の主面に搭載した前記半導体チップと前記基板の主面側に位置する前記配線パターンの一端とを電気的に接続したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/50

FI (3件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/12 Q